nand flash 文章最新資訊

NAND Flash合約價 Q3看漲10%

根據(jù)TrendForce預估，第三季NAND Flash價格走勢，預估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優(yōu)于預期，增強第三季回補動能。而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發(fā)換機潮，以及DeepSeek一體機熱潮，皆帶動client SSD需求。此外，部分原廠積極推動大容量QLC產(chǎn)品，帶動出貨規(guī)模。綜合以上因素，預估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
關鍵字： NAND Flash

美光突破PC性能邊界，推出自適應寫入技術與G9 QLC NAND

SSD?對于提升?PC?及客戶端設備的用戶體驗和系統(tǒng)性能至關重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設備制造商（OEM）設計的高性價比客戶端存儲解決方案。2600 SSD?搭載業(yè)界首款應用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創(chuàng)新的自適應寫入技術（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
關鍵字：美光自適應寫入 QLC NAND

DDR4漲勢Q4觸頂、NAND持平

TrendForce最新釋出的存儲器市場觀察指出，2025年第二季以來快速上漲的DDR4價格漲勢，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場雖受惠AI需求帶動，但因供需未形成緊張態(tài)勢，價格預期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強勁漲勢，主要來自供應商削減產(chǎn)出與市場搶貨潮，但這波動能可能難以延續(xù)至年底。根據(jù)通路查核，隨著價格進入高檔區(qū)間，供應商正逐步釋出庫存，預期第四季整體供應將逐步改善。DDR5方面，目前價格趨勢穩(wěn)定，2025年第二、三季價格季增幅度預估介于3%至8%之間。不過，部分二線OE
關鍵字： DDR4 NAND

如何讓QLC技術成為主流？

縱觀整個電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無疑是主流趨勢。相對于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲問題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲密度才能確保新技術、新產(chǎn)品可持續(xù)發(fā)展，存儲單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
關鍵字： AI推理 QLC NAND Flash

HBM 開發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND

韓國頂尖國家級研究機構(gòu) KAIST 發(fā)布了一份 371 頁的論文，詳細介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術的演進，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，包括封裝、3D 堆疊、以內(nèi)存為中心的架構(gòu)以及嵌入 NAND 存儲，甚至基于機器學習的方法來控制功耗。請記住，該文件是關于 HBM 技術假設演進的，基于當前行業(yè)和研究方向，而不是任何商業(yè)公司的實際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
關鍵字： HBM.NAND

芯片巨頭，「扔掉」這些業(yè)務

上半年，時至過半?；仡欉@半年的半導體市場，似是相對平靜，但是仔細回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調(diào)整。它們接連「動刀」，果斷退出部分產(chǎn)品領域。在這個過程中會對半導體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，放棄這些芯片存儲三巨頭，計劃停產(chǎn)?DDR3?和DDR4關于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計劃停產(chǎn) DDR3 和 DDR4 內(nèi)存的消息，想必業(yè)內(nèi)人士早有耳聞。今年 2 月，這則消息正式傳來，這一決策是由于對?HBM（高帶寬內(nèi)存）和 DDR5 等
關鍵字： DDR3 DDR4 NAND HDD

三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術

據(jù)消息人士透露，三星計劃在下個月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務。同時，三星還提高了MLC NAND的價格，促使部分客戶開始尋找替代供應商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應商，以填補這一空缺。據(jù)悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
關鍵字：三星 MLC NAND TLC QLC

臺積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺？ NAND主控芯片漲價蠢動

業(yè)界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學株式會社（MGC），近日向客戶發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。隨著原料缺貨日益嚴峻，載板供應中長期將出現(xiàn)短缺。供應鏈業(yè)者同步透露，金價持續(xù)上漲、產(chǎn)品交期延長，NAND Flash控制芯片等領域，也可望轉(zhuǎn)嫁成本上漲，包括群聯(lián)、慧榮等主控業(yè)者有機會受惠。多家BT載板業(yè)者證實，確實2025年5月上旬時，陸續(xù)接獲日本MGC書面通知，部分高階材料訂單交期將進一步拉長，顯示先前傳出ABF載板材料供不應求的情形，已進一步向BT載板供應鏈蔓延。據(jù)三菱發(fā)出的通知內(nèi)容指出，
關鍵字：臺積電 CoWoS BT載板基材 NAND 主控芯片

閃存，是如何工作的？

NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實現(xiàn)高密度存儲，優(yōu)先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。
關鍵字：閃存 NAND

閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實現(xiàn) AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時追求新興顛覆性內(nèi)存技術的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
關鍵字： Sandisk 3D-NAND

兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動應用場景的理想之選。GD5F1GM9系列
關鍵字：兆易創(chuàng)新 QSPI NAND

兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，突破性讀取速度，助力應用快速啟動

近日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動應用場景的理想之選。GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash采用24n
關鍵字：兆易創(chuàng)新 Flash NAND

美光、SK海力士跟隨中！三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價3-5%：客戶已開始談判新合同

4月7日消息，據(jù)國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
關鍵字：內(nèi)存 DRAM NAND HBM 三星美光 SK海力士

SK海力士完成對英特爾NAND業(yè)務的收購

據(jù)韓媒報道，根據(jù)SK海力士向韓國金融監(jiān)管機構(gòu)FSS披露的文件，該企業(yè)已完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務案的第二階段，交易正式完成。據(jù)了解，第一階段完成于2021年12月30日，SK海力士當時支付了78422億韓元，從英特爾接管SSD業(yè)務及其位于中國大連NAND閃存制造廠的資產(chǎn)。而在第二階段中，SK海力士以32783億韓元（約合人民幣163億元）的對價取得了包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設計相關的知識產(chǎn)權、研發(fā)人員以及大連工廠的員工在內(nèi)的其余相關有形/無形資產(chǎn)。
關鍵字： SK海力士英特爾 NAND

AI推理應用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場需求

AI推論快速成長，QLC NAND Flash成為企業(yè)級儲存解決方案的新寵。相較于傳統(tǒng)的TLC NAND，QLC具備更高存儲密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負載。法人分析，臺廠如群聯(lián)、威剛、宇瞻等存儲器模組廠，有望從中受惠。根據(jù)調(diào)研機構(gòu)預測，2025年QLC NAND產(chǎn)能將達250.48億Gb，占NAND總產(chǎn)能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務器主要負責分析以及處理大量數(shù)據(jù)，而這類應用訪問模式以讀取為主，寫入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
關鍵字： AI推理 QLC NAND Flash

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]